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線列式PECVD等離子體化學氣相沉積鍍膜設備
編號:SN20151013154830471
類別:PECVD系列等離子體化學氣相沉積鍍膜設備
  • 產品概述
  • 規格參數
  • 服務支持

    設備用途

        本設備采用等離子體增強化學氣相沉積技術,在光學玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜,用以制備非晶硅和微晶硅薄膜太陽電池器件。可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。

     

    設備組成

        多室CVD結構由2個進出片室、3個獨立PECVD反應真空室按直線結構連接,工件通過傳輸機構輸送到各個真空室中進行工藝處理,各真空室間用插板閥連接。該系統主要由真空室、真空獲得系統、射頻和甚高頻電源、襯底加熱控溫系統、氣路系統、尾氣處理系統、傳動系統等部分組成。

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